型号: IXFX170N20T
功能描述: N-Channel 200 V 170 A 11 mO Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS247
制造商: IXYS
系列： GigaMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 170A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 4mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 265nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 19600pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1150W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 11 毫欧 @ 60A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： PLUS
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 170A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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