型号: IXFX200N10P
功能描述: MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 200 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 830 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXFX200N10
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
下降时间: 90 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 38 g
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：秦
电话：13128890590
Q Q:
联系人：何志平
电话：15307359078
Q Q:
联系人：zhang
Q Q:
