型号: IXFX360N15T2
功能描述: 150V 360A 0.004 Ohm N-Ch PLUS247 HiperFET
制造商: IXYS
系列: GigaMOS™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 360A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 5V @ 8mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 715nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 47500pF @ 25V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 1670W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 4 毫欧 @ 60A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
封装形式Package: PLUS
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 150V
连续漏极电流ID: 360A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:林小姐
电话:13713988890
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:陈祥贵
电话:17666128271
Q Q:
联系人:唐先生
电话:13392858908
联系人:彭传凤
电话:15889626113