型号: IXFX44N80Q3
功能描述: IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS247封装
制造商: IXYS
通道类型: N
最大连续漏极电流: 44 A
最大漏源电压: 800 V
最大漏源电阻值: 190 m0hms
最大栅阈值电压: 6.5V
最大栅源电压: -30 V、+30 V
封装类型: PLUS247
安装类型: 通孔
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 1.25 kW
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +150 °C
长度: 16.13mm
高度: 21.34mm
系列: HiperFET, Q3-Class
尺寸: 16.13 x 5.21 x 21.34mm
每片芯片元件数目: 1
典型栅极电荷@Vgs: 185 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 10950 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 63 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
宽度: 5.21mm
晶体管材料: Si
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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