型号: IXFX52N60Q2
功能描述: MOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 735 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXFX52N60
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
下降时间: 8.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 1.600 g
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
联系人:Dream
电话:18124960793
联系人:江钦城
电话:13530725046
联系人:李坤
电话:18521770496