型号:  IXKC25N80C

功能描述:  MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  25 A

Rds On-漏源导通电阻:  150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  180 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS, ISOPLUS

封装:  Tube

高度:  16 mm

长度:  11 mm

系列:  IXKC25N80

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  CoolMOS Power MOSFET

宽度:  5 mm

商标:  IXYS

下降时间:  10 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  75 ns

典型接通延迟时间:  25 ns

单位重量:  350 mg