型号:  IXTA200N055T2

功能描述:  MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  200 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  109 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  360 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  4.83 mm

长度:  9.65 mm

系列:  IXTA200N055

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  TrenchT2 Power MOSFET

宽度:  10.41 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  50 S

下降时间:  27 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  22 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  49 ns

典型接通延迟时间:  26 ns

单位重量:  1.600 g