型号: IXTA24P085T
功能描述: MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchP
封装: Tube
高度: 4.83 mm
长度: 9.65 mm
系列: IXTA24P085
类型: TrenchP Power MOSFET
宽度: 10.41 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 10 S
下降时间: 26 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 1.600 g
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