型号: IXTA28P065T
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 65V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 46nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2030pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 45 毫欧 @ 14A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263（IXTA）
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13537559222
Q Q:
联系人：曾先生
电话：18002563597
Q Q:
联系人：何珩
电话：15051595517
Q Q:
