型号: IXTA2N100P-TRL
功能描述: IXTA2N100P TRL
制造商: IXYS
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 7.5 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 24.3nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 655pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 86W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（IXTA）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：徐佳豪
电话：18902442242
Q Q:
联系人：何少娟
电话：13760227272
Q Q:
联系人：禹露
Q Q:
