型号: IXTA3N100D2
功能描述: IXYS/分立半导体产品
制造商: IXYS
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 耗尽模式
漏源极电压（Vdss）： 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.5 欧姆 @ 1.5A，0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 37.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1020pF @ 25V
功率 - 最大值： 125W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： TO-263（IXTA）
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