型号: IXTA64N10L2
功能描述: MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 64 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 100 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 357 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 4.83 mm
长度: 10.41 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.65 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 21 S
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 2 g
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