型号: IXTH120P065T
功能描述: MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Qg-栅极电荷: 58 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 298 W
配置: Single
封装: Tube
系列: IXTH120P065
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 75 S
下降时间: 21 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 6.500 g
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