型号: IXTH180N10T
功能描述: MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXTH180N10
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
下降时间: 31 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 54 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
单位重量: 6.500 g
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