型号: IXTH2N170D2
功能描述: Single N-Channel 1700 V 6.5 Ohm 110 nC 568 W Power Mosfet - TO-247-3
制造商: IXYS
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2A（Tj）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 0V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 110nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3650pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
FET功能： 耗尽模式
功率耗散（最大值）： 568W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 6.5 欧姆 @ 1A，0V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247AD
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1700V
连续漏极电流ID： 2A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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