型号: IXTH2N170D2
功能描述: Single N-Channel 1700 V 6.5 Ohm 110 nC 568 W Power Mosfet - TO-247-3
制造商: IXYS
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2A（Tj）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 0V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 110nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3650pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
FET功能： 耗尽模式
功率耗散（最大值）： 568W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 6.5 欧姆 @ 1A，0V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247AD
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1700V
连续漏极电流ID： 2A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18680346787
Q Q:
联系人：李艳丽
电话：022-87892512
Q Q:
联系人：陈浩坤
电话：15274793378
Q Q:
