型号: IXTH3N200P3HV
功能描述: Mosfet n-Ch 2000v 3a To-247
制造商: IXYS Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）: 2000V（2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A（Tc）
不同 I 600 d 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1860pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 520W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 8 欧姆 @ 1.5A，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
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