型号: IXTH62N65X2
功能描述: IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTH62N65X2, 62 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 62 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 0.05 0hms
最大栅阈值电压： 5V
最小栅阈值电压： 2.7V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 780 W
高度： 5.21mm
系列： X2-Class
宽度： 21.34mm
典型接通延迟时间： 28 ns
典型关断延迟时间： 56 ns
典型输入电容值@Vds： 5800 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 100 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
最高工作温度： +150 °C
长度： 16.13mm
正向跨导： 56S
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 16.13 x 21.34 x 5.21mm
最低工作温度： -55 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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