型号: IXTJ4N150
功能描述: MOSFET High Voltage Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 44.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 6.13 mm
系列: IXTJ4N150
类型: High Voltage Power MOSFET
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 2.8 S
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 1.600 g
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