型号: IXTK120N65X2
功能描述: IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTK120N65X2, 120 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-264P封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 120 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 0.023 0hms
最大栅阈值电压： 5V
最小栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-264P
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.25 kW
尺寸： 20.3 x 26.3 x 5.3mm
最高工作温度： +150 °C
正向跨导： 110S
正向二极管电压： 1.4V
每片芯片元件数目： 1
系列： X2-Class
高度： 5.3mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 230 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 13.6 nF @ 25 V
典型关断延迟时间： 87 ns
典型接通延迟时间： 32 ns
宽度： 26.3mm
长度： 20.3mm
最低工作温度： -55 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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