型号: IXTK3N250L
功能描述: MOSFET DISCRETE TO-264K
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 2500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 10 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 230nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5400pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 417W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264（IXTK）
封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈
Q Q:
联系人：上官
电话：15811007881
Q Q:
联系人：汪红兵
电话：14771195949
Q Q:
