型号:  IXTK600N04T2

功能描述:  MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-264-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Id-连续漏极电流:  600 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  590 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1.25 kW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

产品:  MOSFET Gate Drivers

系列:  IXTK600N04

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  TrenchT2 GigaMOS

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  90 S

下降时间:  250 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  20 ns

工厂包装数量:  25

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  90 ns

典型接通延迟时间:  40 ns

单位重量:  10 g