型号: IXTN32P60P
功能描述: MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 32 A
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 196 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
封装: Tube
产品: Power MOSFET
系列: IXTN32P60
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 32 S / 21 S
下降时间: 33 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
单位重量: 30 g
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