型号: IXTN550N055T2
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 550A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 595nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 40000pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 940W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.3 毫欧 @ 100A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 底座安装
供应商器件封装： SOT-227B
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陆昆伟
电话：13823377624
Q Q:
联系人：温景霖
电话：18027769667
Q Q:
联系人：李海平
电话：15099918022
Q Q:
