型号: IXTN660N04T4
功能描述: MOSFET 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 660 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 860 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: Gen4
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 110 S
下降时间: 260 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 430 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 386 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 30 g
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