型号: IXTP-200N085T
功能描述: MOSFET MOSFET Id200 BVdass85
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: IXYS
Id-连续漏极电流: 200 A
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 64 ns
正向跨导 - 最小值: 125 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 80 ns
系列: IXTP200N085
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 2.300 g
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Q Q:
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