型号: IXTP26P10T
功能描述: MOSFET MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 26 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Qg-栅极电荷: 52 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
产品: MOSFET
系列: IXTP26P10
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 17 S
下降时间: 1 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 350 mg
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