型号: IXTP80N12T2
功能描述: DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 17 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 80nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4740pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 325W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：周先生
电话：13590404378
Q Q:
联系人：付强
Q Q:
联系人：黄先生
电话：1382657921
Q Q:
