型号: IXTQ50N25T
功能描述: MOSFET 50Amps 250V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 78 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 20.3 mm
长度: 15.8 mm
系列: IXTQ50N25
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Trench Gate Power MOSFET
宽度: 4.9 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 35 S
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 1.600 g
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