型号: IXTT10N100D2
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 200nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5320pF @ 25V
FET 功能： 耗尽模式
功率耗散（最大值）： 695W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.5 欧姆 @ 5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-268
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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