型号: IXTT2N300P3HV
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 3000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 73nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1890pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 520W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 21 欧姆 @ 1A，10V
工作温度： -55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-268
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈小姐
Q Q:
联系人：林小姐
Q Q:
联系人：陈
电话：0537-2331282
Q Q:
