型号: IXTY-3N60P
功能描述: MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 3 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.5 V
Qg-栅极电荷: 9.8 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 22 ns
正向跨导 - 最小值: 2.2 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: IXTY3N60
工厂包装数量: 70
商标名: PolarHV
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 350 mg
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