型号: IXTY01N100-TRL
功能描述: IXTY01N100 TRL
制造商: IXYS
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 80 欧姆 @ 50mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 6.9nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 54pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 25W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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