型号: IXTY08N100D2
功能描述: MOSFET 8mAmps 1000V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 21 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 14.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
通道模式: Depletion
封装: Tube
系列: IXTY08N100
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 330 mS
下降时间: 48 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 57 ns
工厂包装数量: 70
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 2.300 g
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