型号: IXTY1R4N100P
功能描述: MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 1.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
系列: IXTY1R4N100
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: IXYS
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 70
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 350 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李维
电话：13714220997
Q Q:
联系人：马先生
电话：13420956442
Q Q:
联系人：孙成宇
电话：18643806475
Q Q:
