型号: IXTZ550N055T2
功能描述: MOSFET 550Amps 55V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DE-475-6
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 550 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 595 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 600 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 3.18 mm
长度: 21.08 mm
系列: IXTZ550N055
类型: TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET
宽度: 23.11 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 95 S
下降时间: 230 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
单位重量: 3 g
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