型号: K4T51163QG-HCE6000
功能描述: DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
制造商: Samsung Electronics
XPackage: 84FBGA
安装: Surface Mount
包装宽度: 7.5
组织: 32Mx16
PCB: 84
筛选等级: Commercial
地址总线宽度: 16
类型: DDR2 SDRAM
典型工作电源电压: 1.8
欧盟RoHS指令: Compliant
密度: 512M
内部银行的数量: 4
最低工作温度: 0
供应商封装形式: FBGA
标准包装名称: BGA
最高工作温度: 95
最大时钟频率: 667
数据总线宽度: 16
包装长度: 12.5
最低工作电源电压: 1.7
引脚数: 84
最大工作电流: 165
包装高度: 0.95
最大随机存取时间: 0.45
封装: Tape and Reel
每行字数: 8M
最大工作电源电压: 1.9
铅形状: Ball
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