型号: KIA3400
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：600mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻：40mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.8A
栅源极阈值电压: 600mV @ 250uA(最小)
漏源导通电阻: 40mΩ @ 4.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.4W
类型: N沟道
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13923864315
Q Q:
联系人：赖先生
电话：13143380729
Q Q:
联系人：郭先生
Q Q:
