型号: KND3308A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 80A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 9mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 120W(Tc)
类型: N沟道
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：CANDYW
电话：18676397678
Q Q:
联系人：连先生
电话：15920005840
Q Q:
联系人：陈先生
电话：15361557480
Q Q:
