型号: KND4365A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 55W(Tc)
类型: N沟道
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：徐佳豪
电话：18902442242
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13590290444
Q Q:
联系人：罗生
电话：13729201142
Q Q:
