型号: KND8606A
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
制造商: KIA 半导体
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 35A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 45W(Tc)
类型: N沟道
联系人：陈晓玲
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