型号: KSD261CYTA_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 120 at 0.1 A at 1 V
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92
封装: Ammo
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：刘先生
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18028586216
Q Q:
联系人：马先生
电话：17600810816
Q Q:
