型号: KSP10BU
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 25 V
集电极—基极电压 VCBO: 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
增益带宽产品fT: 650 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: KSP10
高度: 4.7 mm
长度: 4.7 mm
封装: Bulk
宽度: 3.93 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
Pd-功率耗散: 350 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 10000
子类别: Transistors
零件号别名: KSP10BU_NL
单位重量: 179 mg
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