型号: LET9070CB
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
技术: Si
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
增益: 17 dB
输出功率: 80 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: M243
封装: Bulk
配置: Single Common Source
工作频率: 1 MHz to 1 GHz
系列: LET9070CB
类型: RF Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, 15 V
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