型号: LNC06R230
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 33A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 27mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc)
类型: N沟道
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：李凤达
电话：13622312261
Q Q:
联系人：陈亮明
电话：18172927110
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13530356610
Q Q:
