型号:  LND250K1-G

功能描述:  Microchip Technology/分立半导体产品

制造商:  Microchip Technology

数据列表：  LND250

PCN 组件/产地：  Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Qualification Report Revision 29/Jan/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  耗尽模式

漏源极电压（Vdss）：  500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  13mA（Tj）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  1000 欧姆 @ 500µA，0V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  10pF @ 25V

功率 - 最大值：  360mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23（TO-236AB）