型号: LNH06R062
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 110W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：蔡
电话：13728606958
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13590107572
Q Q:
联系人：夏
电话：18929357750
Q Q:
