型号: LSD65R125HT
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：125mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.2W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 25A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 125mΩ @ 12.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 34.2W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13714891825
Q Q:
联系人：文小姐
Q Q:
联系人：廖泽坤
Q Q:
