型号: LSGC10R035
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：181W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 180A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 3.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 181W(Tc)
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：周小姐
电话：13974055393
Q Q:
联系人：罗先生
电话：18575507915
Q Q:
联系人：田维杰
电话：13628604461
Q Q:
