型号: LSGG04R028
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：5.3mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57.6W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.3mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 57.6W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：徐顺英
电话：18038323671
Q Q:
联系人：卢先生
电话：13798251296
Q Q:
联系人：陈加滴
电话：15322888907
Q Q:
