型号: LSGG06R098W3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：13.9mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：106W(Tc) 类型：N沟道
制造商: LONTEN(龙腾半导体)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 80A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.3V @ 250uA
漏源导通电阻: 13.9mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 106W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：杨S
电话：13430662351
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：15382715108
Q Q:
联系人：林雾
电话：17775112811
Q Q:
